PSMN5R6-100BS,118 与 IPB042N10N3 G 区别
| 型号 | PSMN5R6-100BS,118 | IPB042N10N3 G | ||
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| 唯样编号 | A-PSMN5R6-100BS,118 | A-IPB042N10N3 G | ||
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK | 系列:OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 306W | 214W(Tc) | ||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||
| 输出电容 | 561pF | - | ||
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT404 | PG-TO263-3 | ||
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 100A | 100A(Tc) | ||
| 系列 | - | OptiMOS™ | ||
| 输入电容 | 8061pF | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 6V,10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | 5.6mΩ@10V | 4.2mΩ@50A,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3.5V @ 150µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 8410pF @ 50V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 117nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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PSMN5R6-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 5.6mΩ@10V 306W 175°C 3V 100V 100A |
￥17.5238
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0 | 当前型号 | ||||
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IRLS4030TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IPB042N10N3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~175°C(TJ) TO-263-2 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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AUIRLS4030TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100V 180A(Tc) ±16V 370W(Tc) 4.3mΩ@110A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRLS4030PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IPB042N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100V 100A(Tc) ±20V 214W(Tc) 4.2mΩ@50A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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